SiFotonics的硅光产品凭借硅基CMOS平台的工艺一致性、极低失效率、供应稳定性等优势，在5G、数据中心及AI集群建设中已经获得了大规模商用，累计出货超过一亿通道。
面向AI集群1.6T应用的单波200G Ge/Si PD采用背照式、单体集成硅透镜设计，借助硅基CMOS平台的高精度工艺控制能力，200G Ge/Si PD实现了更高的响应度(>0.75A/W)、更大的等效耦合孔径(>40um)、更高的背面/正面对准精度(<±3um)、灵活匹配2.5D/3D封装，且可独家提供成本合理的4x200G 750um pitch array，阵列式设计保证了精确的通道间距，避免了单通道倒装贴片带来的累计通道间距变异。基于以上显著优势，SiFotonics的200G Ge/Si PD目前获得了行业头部客户认可，正在快速进行批量部署。
SiFotonics在其完全自主、可控的IDM-Lite专属硅光工艺平台上，自2025年以来完成了氮化硅工艺整合并实现量产级别器件开发，在成熟相干集成芯片基础上推出低成本、高可靠性、性能优异的单波100G/200G IMDD（强度调制、直接探测）硅光集成芯片，吸引了众多优质客户的兴趣，目前正在大量送样和快速迭代中，预计2025年下半年进入量产。
为应对AI集群市场的海量需求，SiFotonics目前正在大规模扩产，为AI市场客户预留充足产能，不设上限，并基于成熟可靠的专属硅光产线和多年积累的硅光芯片量产经验，保障客户的快速起量和稳定供应。
面对AI大潮，SiFotonics从技术和经验上已做好充分准备，将为AI市场提供从收端到发端、从长距到短距、从当下到未来完整的硅光产品组合和解决方案，做到技术可信赖、品质可信赖、交付可信赖，成为AI时代可信赖的硅光芯片专家。
欢迎莅临SiFotonics展台（12B65），共同探讨AI光互连和硅光技术。
