优炜芯联合研究团队通过创新设计芯片刻蚀反射阵列结构，并首创协同散射光子调控策略，成功制备了晶圆级介质纳米结构，这一系列关键技术攻克了230nm波段远紫外LED光源实现毫瓦级功率输出的世界性难题，团队最终研制出峰值波长230nm、输出功率2.8mW的AlGaN基远紫外LED光源，为目前毫瓦级深紫外LED报道的最短波长，将深紫外LED光源的性能指标推向了新的极限。
230nm深紫外光凭借极短波长和高能量，可以高效破坏微生物DNA/RNA，实现强效杀菌。更具革命性的是，它破解了传统深紫外消毒“人机共存”的核心难题—-相比于传统UVC，该波段对人体皮肤、眼睛等组织的穿透力更弱，潜在伤害显著降低。这一特性让医院、学校、交通工具、办公环境等人员活动场所，无需清场即可开展持续实时消毒，极大拓宽了紫外消毒的应用边界。此外，230nm深紫外光在特定物质检测中表现出高灵敏度优势，使其在气体传感、水质分析、精密仪器检测等对精度要求高、需低剂量安全保障的场景中，同样具备广阔应用前景。
此次入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”，是业界对优炜芯及合作单位在半导体核心技术创新能力与研发实力的权威肯定。未来，优炜芯将继续加大研发投入，深化与产学研伙伴的紧密协作，致力于推动第三代半导体技术（尤其是宽禁带半导体光电子领域）的持续创新与产业化发展，为提升我国在该领域的全球竞争力贡献力量，引领行业不断攀登新的技术高峰。
